公司新闻

掺杂缺陷的存在引起非整 比化合物的生成,这类非整比化合物对材

时间:2020-03-06 查看:134
内容摘要:原料粒度对导电粉末电阻率的影响 注:和.s_代衷1晶石粉末的平均粒径和比表面积:^和^代表导电粉末的电阻率和平均粒径r mmrn. 绝缘体 半导体 导体 阍|绝缘体、凇导体及导体的能带模型 阴影为电f?占据的范闹 体与导体的能级模型如图1所示: 四、锑掺杂锡氧化物...
原料粒度对导电粉末电阻率的影响
注:和.s_代衷1晶石粉末的平均粒径和比表面积:^和^代表导电粉末的电阻率和平均粒径r
mmrn.
绝缘体 半导体 导体
阍|绝缘体、凇导体及导体的能带模型
阴影为电f?占据的范闹
体与导体的能级模型如图1所示:
四、锑掺杂锡氧化物的缺陷与能级效应利用重晶石的天然特性,在重晶石表面復盖一层掺锑的Sn02层就可以制得导电性能优良的浅色导电粉末纯的S?02导电性能差,经过适当的掺杂处理后则具有半导体性质。根据能带理论的能级模型,当禁带宽度降到一定程度时,室温下,热能(晶格振动)就可使电子跃迁到导带而实现导电。在半导体每单位体枳的载流子数一般比每一单位体积的原子数要少得多。绝缘体、半导
绝缘沐禁带较宽,一般大于“V,满带上的电子被激发的几率极小,不能导电;而半导体的禁带 的宽度较小,电子被激发的几率较大,有一定的导电能力。图2为费米能级与温度的关系t复合导电 粉末的制备过程中,釆用锑掺杂锡的氧化物,并通过掺杂以期达到获得高性能的产品,锑掺杂氧化物 Sb: Sn〇i的能级见图3。
m2费米能级与温度的闲数关系示意囝
I—施t半导体;2—受主半导体;3—导带中电子简并
图3掺杂锡氧化物Sh:Sn〇d^能级图
掺杂可以增加基体的导电能力,这也是半导体导电的主要原因;同时,掺杂缺陷的存在引起非整 比化合物的生成,这类非整比化合物对材料的导电性能有很大的影响。根据晶体学可知,缺陷反应中 填隙类型存在的可能性不大,而由于离子半径大小,形成氧空位的可能性也不大。